UST 학생, 3차원 비파괴 측정 기술 개발

안흘비 UST 학생, '사이언티픽리포트'에 '3차원 비파괴 측정 기술' 논문 제1 저자로 게재

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김인한 수습 기자 - 2018.11.07

전자회로 샘플의 손실 없이 제품의 검사가 가능해질 전망이다. 

안흘비 UST 학생의 'TSV(Through-Silicon Vias)' 관련 논문이 '사이언티픽리포트'에 게재됐다. <사진=UST제공>안흘비 UST 학생의 'TSV(Through-Silicon Vias)' 관련 논문이 '사이언티픽리포트'에 게재됐다. <사진=UST제공>
UST(과학기술연합대학원대학교·총장 문길주)는 안흘비 석박사 통합과정 학생의 새로운 관통전극(TSV·Through-Silicon Vias) 기술이 개발돼 '사이언티픽리포트'에 논문이 게재됐다고 7일 밝혔다.

관통전극 기술은 전기신호를 수직 방향으로 전달하는 기술이다. 기존 와이어 방식보다 전송 거리가 줄어 동작 속도는 빨라지고 소비전력은 줄어드는 게 특징이다. 3차원 측정 방식으로 보다 효율적인 비파괴 측정이 가능해진다.

'하이브라드 비파괴 측정 방법'의 논문은 '사이언티픽리포트'에 게재됐다. 이번 연구는 적층식 회로의 관통전극 측정을 비파괴 방식으로 바꿔 회로 작동에 드는 시간과 비용을 획기적으로 줄일 수 있다. 이 기술로 적층형 반도체 생산 공정에서 샘플 회로를 손실 없이 검사할 수 있게 됐다.

안흘비 UST 학생은 "차세대 반도체 적층 소자의 미세 형상 측정 기술을 지속적으로 연구할 것"이라며 "반도체 분야의 검사계측 핵심 기술 개발과 측정 표준 확립에 기여할 수 있도록 노력하겠다"고 말했다.
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