윤순길 교수팀, 나노레터지 온라인판 최신호 발표

교육과학기술부(장관 안병만)는 윤순길 충남대학교 교수팀이 저온에서 화학기상증착법을 이용해 상변화재료인 IST(In-Sb-Te) 박막 제조와 나노와이어 성장을 조절해 고집적 상변화메모리 소자를 응용할 수 있는 공정 방법을 개발했다고 3일 밝혔다.

상변화메모리란 특정 물질의 비정질상과 결정상의 전기전도 차이를 이용, 이진법 정보를 저장하고 판독하는 메모리 소자로 구조가 단순하고 생산단가는 저렴한 반면 D램에 준하는 월등한 성능을 갖고 있는 메모리다.

지금까지 상변화재료에 대한 연구는 대부분 GST(Ge-Sb-Te) 재료를 이용한 것으로, 고집적 소자를 만들기 위한 화학기상증착법 공정기술 확보를 위해 진행돼 왔었다. 세계 선진 연구기관도 아직까지는 100나노미터 급 소자 적용 공정 기술을 확보하니 못한 실정이다.

윤 교수팀은 대면적 양산이 가능한 유기금속 화학증착법을 이용해 IST 재료는 약 250℃ 저온에서 단순한 공정압력 조절을 통해 박막 증착과 나노와이어 제조에 성공했다. 또한 메모리 소자 특성을 분석한 결과, 멀티 레벨의 메모리 구동 특성을 나타내는 것으로 확인돼 차세대 비휘발성 멀티 레벨 메모리 개발의 가능성을 열었다고 평가받고 있다.

윤 교수는 "이번 연구는 순수 국내 학자만으로 상변화메모리 재료의 고집적 공정기술 개발의 어려움을 극복, 저온 MOCVD 방법으로 단순 공정압력 조절을 통해 박막과 나노와이어를 제조할 수 있는 획기적 원천 공정기술을 개발했다는 점에서 의미가 있다"고 설명했다.

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